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DMN67D8L-7  与  BSS7728N H6327  区别

型号 DMN67D8L-7 BSS7728N H6327
唯样编号 A36-DMN67D8L-7 A-BSS7728N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V
上升时间 - 2.7ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 1nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 0.2S
封装/外壳 SOT-23 -
连续漏极电流Id 210mA(Ta) 200mA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
下降时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V -
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 0.34W 360mW
典型关闭延迟时间 - 6.1ns
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS7728
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.82nC @ 10V -
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
240+ :  ¥0.2115
1,500+ :  ¥0.183
3,000+ :  ¥0.162
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 210mA(Ta) ±30V 0.34W 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23

¥0.2115 

阶梯数 价格
240: ¥0.2115
1,500: ¥0.183
3,000: ¥0.162
15,000 当前型号
NX7002AK,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

TO-236AB N-Channel 0.265W -55°C~150°C ±20V 60V 0.3A

暂无价格 18,000 对比
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23

暂无价格 3,481 对比
2N7002KA-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
BSS7728N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

60V 200mA 5Ω 20V 360mW N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
2N7002KA-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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